Samsung успешно создала 3-нм чип на совершенно новых транзисторах - быстрее, экономичнее, плотнее - Android

Компания Samsung сообщила о создании опытного 256-Мбит массива памяти SRAM с использованием 3-нм техпроцесса и совершенного новых транзисторов MBCFET. Образец позволил подтвердить характеристики будущего техпроцесса. Тем самым Samsung от теории шагнула к практике и можно рассчитывать, что 3-нм производство полупроводников она запустит уже в следующем году. Эволюция транзисторов. Источник изображения: Samsung